Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
SI8819EDB-T2-E1
MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT
Onderdeel nummer
SI8819EDB-T2-E1
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
-
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
4-XFBGA
Apparaatpakket van leverancier
4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Vermogensdissipatie (max.)
900mW (Ta)
FET-type
P-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
12V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
2.9A (Ta)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 1.5A, 3.7V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 8V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
650pF @ 6V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
1.5V, 3.7V
Vgs (max.)
±8V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 28248 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanSI8819EDB-T2-E1
SI8819EDB-T2-E1 Elektronische componenten
SI8819EDB-T2-E1 verkoop
SI8819EDB-T2-E1 Leverancier
SI8819EDB-T2-E1 Distributeur
SI8819EDB-T2-E1 Data tafel
SI8819EDB-T2-E1 Foto's
SI8819EDB-T2-E1 Prijs
SI8819EDB-T2-E1 Aanbod
SI8819EDB-T2-E1 Laagste prijs
SI8819EDB-T2-E1 Zoekopdracht
SI8819EDB-T2-E1 Inkoop
SI8819EDB-T2-E1 Chip