Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
SI8810EDB-T2-E1
MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
Onderdeel nummer
SI8810EDB-T2-E1
Fabrikant/merk
Serie
TrenchFET®
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
4-XFBGA
Apparaatpakket van leverancier
4-Microfoot
Vermogensdissipatie (max.)
500mW (Ta)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
20V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
-
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
72 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
8nC @ 8V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
245pF @ 10V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
1.5V, 4.5V
Vgs (max.)
±8V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 53457 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanSI8810EDB-T2-E1
SI8810EDB-T2-E1 Elektronische componenten
SI8810EDB-T2-E1 verkoop
SI8810EDB-T2-E1 Leverancier
SI8810EDB-T2-E1 Distributeur
SI8810EDB-T2-E1 Data tafel
SI8810EDB-T2-E1 Foto's
SI8810EDB-T2-E1 Prijs
SI8810EDB-T2-E1 Aanbod
SI8810EDB-T2-E1 Laagste prijs
SI8810EDB-T2-E1 Zoekopdracht
SI8810EDB-T2-E1 Inkoop
SI8810EDB-T2-E1 Chip