Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
SI8806DB-T2-E1

SI8806DB-T2-E1

MOSFET N-CH 12V MICROFOOT
Onderdeel nummer
SI8806DB-T2-E1
Fabrikant/merk
Serie
TrenchFET®
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
4-XFBGA
Apparaatpakket van leverancier
4-Microfoot
Vermogensdissipatie (max.)
500mW (Ta)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
12V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
-
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
43 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 8V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
-
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
1.8V, 4.5V
Vgs (max.)
±8V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 19821 PCS
Contactgegevens
Trefwoorden vanSI8806DB-T2-E1
SI8806DB-T2-E1 Elektronische componenten
SI8806DB-T2-E1 verkoop
SI8806DB-T2-E1 Leverancier
SI8806DB-T2-E1 Distributeur
SI8806DB-T2-E1 Data tafel
SI8806DB-T2-E1 Foto's
SI8806DB-T2-E1 Prijs
SI8806DB-T2-E1 Aanbod
SI8806DB-T2-E1 Laagste prijs
SI8806DB-T2-E1 Zoekopdracht
SI8806DB-T2-E1 Inkoop
SI8806DB-T2-E1 Chip