Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
SI8481DB-T1-E1
MOSFET P-CH 20V 9.7A 4-MICROFOOT
Onderdeel nummer
SI8481DB-T1-E1
Fabrikant/merk
Serie
TrenchFET® Gen III
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
4-UFBGA
Apparaatpakket van leverancier
4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Vermogensdissipatie (max.)
2.8W (Tc)
FET-type
P-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
20V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
9.7A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
21 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
47nC @ 4.5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
2500pF @ 10V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
1.8V, 4.5V
Vgs (max.)
±8V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 51265 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanSI8481DB-T1-E1
SI8481DB-T1-E1 Elektronische componenten
SI8481DB-T1-E1 verkoop
SI8481DB-T1-E1 Leverancier
SI8481DB-T1-E1 Distributeur
SI8481DB-T1-E1 Data tafel
SI8481DB-T1-E1 Foto's
SI8481DB-T1-E1 Prijs
SI8481DB-T1-E1 Aanbod
SI8481DB-T1-E1 Laagste prijs
SI8481DB-T1-E1 Zoekopdracht
SI8481DB-T1-E1 Inkoop
SI8481DB-T1-E1 Chip