SI3911DV-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 1.8A 6TSOP
Onderdeel nummer
SI3911DV-T1-E3
Fabrikant/merk
Serie
TrenchFET®
Onderdeelstatus
Obsolete
Verpakking
Cut Tape (CT)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vermogen - Max
830mW
Apparaatpakket van leverancier
6-TSOP
FET-type
2 P-Channel (Dual)
FET-functie
Logic Level Gate
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
20V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
1.8A
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
145 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
450mV @ 250µA (Min)
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 4.5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
-
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 18049 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanSI3911DV-T1-E3
SI3911DV-T1-E3 Elektronische componenten
SI3911DV-T1-E3 verkoop
SI3911DV-T1-E3 Leverancier
SI3911DV-T1-E3 Distributeur
SI3911DV-T1-E3 Data tafel
SI3911DV-T1-E3 Foto's
SI3911DV-T1-E3 Prijs
SI3911DV-T1-E3 Aanbod
SI3911DV-T1-E3 Laagste prijs
SI3911DV-T1-E3 Zoekopdracht
SI3911DV-T1-E3 Inkoop
SI3911DV-T1-E3 Chip