Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
IRFD123PBF
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
Onderdeel nummer
IRFD123PBF
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Apparaatpakket van leverancier
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Vermogensdissipatie (max.)
1.3W (Ta)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
100V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
270 mOhm @ 780mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
360pF @ 25V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 9940 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanIRFD123PBF
IRFD123PBF Elektronische componenten
IRFD123PBF verkoop
IRFD123PBF Leverancier
IRFD123PBF Distributeur
IRFD123PBF Data tafel
IRFD123PBF Foto's
IRFD123PBF Prijs
IRFD123PBF Aanbod
IRFD123PBF Laagste prijs
IRFD123PBF Zoekopdracht
IRFD123PBF Inkoop
IRFD123PBF Chip