Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
IRFD120PBF

IRFD120PBF

MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
Onderdeel nummer
IRFD120PBF
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Apparaatpakket van leverancier
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Vermogensdissipatie (max.)
1.3W (Ta)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
100V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
270 mOhm @ 780mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
360pF @ 25V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 48571 PCS
Contactgegevens
Trefwoorden vanIRFD120PBF
IRFD120PBF Elektronische componenten
IRFD120PBF verkoop
IRFD120PBF Leverancier
IRFD120PBF Distributeur
IRFD120PBF Data tafel
IRFD120PBF Foto's
IRFD120PBF Prijs
IRFD120PBF Aanbod
IRFD120PBF Laagste prijs
IRFD120PBF Zoekopdracht
IRFD120PBF Inkoop
IRFD120PBF Chip