Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
IRFD110PBF
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
Onderdeel nummer
IRFD110PBF
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Apparaatpakket van leverancier
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Vermogensdissipatie (max.)
1.3W (Ta)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
100V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
1A (Ta)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
540 mOhm @ 600mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
8.3nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
180pF @ 25V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 47894 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanIRFD110PBF
IRFD110PBF Elektronische componenten
IRFD110PBF verkoop
IRFD110PBF Leverancier
IRFD110PBF Distributeur
IRFD110PBF Data tafel
IRFD110PBF Foto's
IRFD110PBF Prijs
IRFD110PBF Aanbod
IRFD110PBF Laagste prijs
IRFD110PBF Zoekopdracht
IRFD110PBF Inkoop
IRFD110PBF Chip