Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
IRFBG30PBF
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB
Onderdeel nummer
IRFBG30PBF
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-220-3
Apparaatpakket van leverancier
TO-220AB
Vermogensdissipatie (max.)
125W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
1000V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
5 Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
80nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
980pF @ 25V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 10124 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanIRFBG30PBF
IRFBG30PBF Elektronische componenten
IRFBG30PBF verkoop
IRFBG30PBF Leverancier
IRFBG30PBF Distributeur
IRFBG30PBF Data tafel
IRFBG30PBF Foto's
IRFBG30PBF Prijs
IRFBG30PBF Aanbod
IRFBG30PBF Laagste prijs
IRFBG30PBF Zoekopdracht
IRFBG30PBF Inkoop
IRFBG30PBF Chip