Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
IRFBG30

IRFBG30

MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB
Onderdeel nummer
IRFBG30
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Obsolete
Verpakking
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-220-3
Apparaatpakket van leverancier
TO-220AB
Vermogensdissipatie (max.)
125W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
1000V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
5 Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
80nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
980pF @ 25V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 47234 PCS
Contactgegevens
Trefwoorden vanIRFBG30
IRFBG30 Elektronische componenten
IRFBG30 verkoop
IRFBG30 Leverancier
IRFBG30 Distributeur
IRFBG30 Data tafel
IRFBG30 Foto's
IRFBG30 Prijs
IRFBG30 Aanbod
IRFBG30 Laagste prijs
IRFBG30 Zoekopdracht
IRFBG30 Inkoop
IRFBG30 Chip