Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
IRFBE30S
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Onderdeel nummer
IRFBE30S
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Obsolete
Verpakking
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Apparaatpakket van leverancier
D2PAK
Vermogensdissipatie (max.)
125W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
800V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
78nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
1300pF @ 25V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 19946 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanIRFBE30S
IRFBE30S Elektronische componenten
IRFBE30S verkoop
IRFBE30S Leverancier
IRFBE30S Distributeur
IRFBE30S Data tafel
IRFBE30S Foto's
IRFBE30S Prijs
IRFBE30S Aanbod
IRFBE30S Laagste prijs
IRFBE30S Zoekopdracht
IRFBE30S Inkoop
IRFBE30S Chip