Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
IRFBE30LPBF
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
Onderdeel nummer
IRFBE30LPBF
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Apparaatpakket van leverancier
I2PAK
Vermogensdissipatie (max.)
125W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
800V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
78nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
1300pF @ 25V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 48235 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanIRFBE30LPBF
IRFBE30LPBF Elektronische componenten
IRFBE30LPBF verkoop
IRFBE30LPBF Leverancier
IRFBE30LPBF Distributeur
IRFBE30LPBF Data tafel
IRFBE30LPBF Foto's
IRFBE30LPBF Prijs
IRFBE30LPBF Aanbod
IRFBE30LPBF Laagste prijs
IRFBE30LPBF Zoekopdracht
IRFBE30LPBF Inkoop
IRFBE30LPBF Chip