Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
IRFBE30L
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
Onderdeel nummer
IRFBE30L
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Obsolete
Verpakking
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Apparaatpakket van leverancier
I2PAK
Vermogensdissipatie (max.)
125W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
800V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
78nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
1300pF @ 25V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 40696 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanIRFBE30L
IRFBE30L Elektronische componenten
IRFBE30L verkoop
IRFBE30L Leverancier
IRFBE30L Distributeur
IRFBE30L Data tafel
IRFBE30L Foto's
IRFBE30L Prijs
IRFBE30L Aanbod
IRFBE30L Laagste prijs
IRFBE30L Zoekopdracht
IRFBE30L Inkoop
IRFBE30L Chip