Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
IRFBE30

IRFBE30

MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB
Onderdeel nummer
IRFBE30
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Obsolete
Verpakking
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-220-3
Apparaatpakket van leverancier
TO-220AB
Vermogensdissipatie (max.)
125W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
800V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
78nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
1300pF @ 25V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 43084 PCS
Contactgegevens
Trefwoorden vanIRFBE30
IRFBE30 Elektronische componenten
IRFBE30 verkoop
IRFBE30 Leverancier
IRFBE30 Distributeur
IRFBE30 Data tafel
IRFBE30 Foto's
IRFBE30 Prijs
IRFBE30 Aanbod
IRFBE30 Laagste prijs
IRFBE30 Zoekopdracht
IRFBE30 Inkoop
IRFBE30 Chip