Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
SCT30N120
MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247
Onderdeel nummer
SCT30N120
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tube
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 200°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-247-3
Apparaatpakket van leverancier
HiP247™
Vermogensdissipatie (max.)
270W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
1200V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 1mA (Typ)
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
105nC @ 20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
1700pF @ 400V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
20V
Vgs (max.)
+25V, -10V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 40443 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanSCT30N120
SCT30N120 Elektronische componenten
SCT30N120 verkoop
SCT30N120 Leverancier
SCT30N120 Distributeur
SCT30N120 Data tafel
SCT30N120 Foto's
SCT30N120 Prijs
SCT30N120 Aanbod
SCT30N120 Laagste prijs
SCT30N120 Zoekopdracht
SCT30N120 Inkoop
SCT30N120 Chip