SCT2H12NZGC11
MOSFET N-CH 1700V 3.7A
Onderdeel nummer
SCT2H12NZGC11
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tube
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Bedrijfstemperatuur
175°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-3PFM, SC-93-3
Apparaatpakket van leverancier
TO-3PFM
Vermogensdissipatie (max.)
35W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
1700V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
3.7A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
1.5 Ohm @ 1.1A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 900µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 18V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
184pF @ 800V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
18V
Vgs (max.)
+22V, -6V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 45651 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanSCT2H12NZGC11
SCT2H12NZGC11 Elektronische componenten
SCT2H12NZGC11 verkoop
SCT2H12NZGC11 Leverancier
SCT2H12NZGC11 Distributeur
SCT2H12NZGC11 Data tafel
SCT2H12NZGC11 Foto's
SCT2H12NZGC11 Prijs
SCT2H12NZGC11 Aanbod
SCT2H12NZGC11 Laagste prijs
SCT2H12NZGC11 Zoekopdracht
SCT2H12NZGC11 Inkoop
SCT2H12NZGC11 Chip