Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
RS1E200BNTB
MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Onderdeel nummer
RS1E200BNTB
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
8-PowerTDFN
Apparaatpakket van leverancier
8-HSOP
Vermogensdissipatie (max.)
3W (Ta), 25W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
30V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
20A (Ta)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
3.9 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
59nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
3100pF @ 15V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
4.5V, 10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 28092 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanRS1E200BNTB
RS1E200BNTB Elektronische componenten
RS1E200BNTB verkoop
RS1E200BNTB Leverancier
RS1E200BNTB Distributeur
RS1E200BNTB Data tafel
RS1E200BNTB Foto's
RS1E200BNTB Prijs
RS1E200BNTB Aanbod
RS1E200BNTB Laagste prijs
RS1E200BNTB Zoekopdracht
RS1E200BNTB Inkoop
RS1E200BNTB Chip