RF4E110GNTR
MOSFET N-CH 30V 11A 8-HUML
Onderdeel nummer
RF4E110GNTR
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
8-PowerUDFN
Apparaatpakket van leverancier
HUML2020L8
Vermogensdissipatie (max.)
2W (Ta)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
30V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
11.3 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
7.4nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
504pF @ 15V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
4.5V, 10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 24428 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanRF4E110GNTR
RF4E110GNTR Elektronische componenten
RF4E110GNTR verkoop
RF4E110GNTR Leverancier
RF4E110GNTR Distributeur
RF4E110GNTR Data tafel
RF4E110GNTR Foto's
RF4E110GNTR Prijs
RF4E110GNTR Aanbod
RF4E110GNTR Laagste prijs
RF4E110GNTR Zoekopdracht
RF4E110GNTR Inkoop
RF4E110GNTR Chip