RF4E110BNTR
MOSFET N-CH 30V 11A 8-HUML
Onderdeel nummer
RF4E110BNTR
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
8-PowerUDFN
Apparaatpakket van leverancier
HUML2020L8
Vermogensdissipatie (max.)
2W (Ta)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
30V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
11.1 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
1200pF @ 15V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
4.5V, 10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 50464 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanRF4E110BNTR
RF4E110BNTR Elektronische componenten
RF4E110BNTR verkoop
RF4E110BNTR Leverancier
RF4E110BNTR Distributeur
RF4E110BNTR Data tafel
RF4E110BNTR Foto's
RF4E110BNTR Prijs
RF4E110BNTR Aanbod
RF4E110BNTR Laagste prijs
RF4E110BNTR Zoekopdracht
RF4E110BNTR Inkoop
RF4E110BNTR Chip