RF4E080BNTR
MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML
Onderdeel nummer
RF4E080BNTR
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
8-PowerUDFN
Apparaatpakket van leverancier
HUML2020L8
Vermogensdissipatie (max.)
2W (Ta)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
30V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
8A (Ta)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
17.6 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
14.5nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
660pF @ 15V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
4.5V, 10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 23814 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanRF4E080BNTR
RF4E080BNTR Elektronische componenten
RF4E080BNTR verkoop
RF4E080BNTR Leverancier
RF4E080BNTR Distributeur
RF4E080BNTR Data tafel
RF4E080BNTR Foto's
RF4E080BNTR Prijs
RF4E080BNTR Aanbod
RF4E080BNTR Laagste prijs
RF4E080BNTR Zoekopdracht
RF4E080BNTR Inkoop
RF4E080BNTR Chip