Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
R6030ENZ1C9

R6030ENZ1C9

MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Onderdeel nummer
R6030ENZ1C9
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
150°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-247-3
Apparaatpakket van leverancier
TO-247
Vermogensdissipatie (max.)
120W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
600V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
130 mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
85nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
2100pF @ 25V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 42733 PCS
Contactgegevens
Trefwoorden vanR6030ENZ1C9
R6030ENZ1C9 Elektronische componenten
R6030ENZ1C9 verkoop
R6030ENZ1C9 Leverancier
R6030ENZ1C9 Distributeur
R6030ENZ1C9 Data tafel
R6030ENZ1C9 Foto's
R6030ENZ1C9 Prijs
R6030ENZ1C9 Aanbod
R6030ENZ1C9 Laagste prijs
R6030ENZ1C9 Zoekopdracht
R6030ENZ1C9 Inkoop
R6030ENZ1C9 Chip