Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
NTD4960N-1G
MOSFET N-CH 30V 11.1A IPAK
Onderdeel nummer
NTD4960N-1G
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Obsolete
Verpakking
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Apparaatpakket van leverancier
I-PAK
Vermogensdissipatie (max.)
1.07W (Ta), 35.71W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
30V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
8.9A (Ta), 55A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
1300pF @ 15V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
4.5V, 10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 48881 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanNTD4960N-1G
NTD4960N-1G Elektronische componenten
NTD4960N-1G verkoop
NTD4960N-1G Leverancier
NTD4960N-1G Distributeur
NTD4960N-1G Data tafel
NTD4960N-1G Foto's
NTD4960N-1G Prijs
NTD4960N-1G Aanbod
NTD4960N-1G Laagste prijs
NTD4960N-1G Zoekopdracht
NTD4960N-1G Inkoop
NTD4960N-1G Chip