APT80SM120B
POWER MOSFET - SIC
Onderdeel nummer
APT80SM120B
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Obsolete
Verpakking
Bulk
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-247-3
Apparaatpakket van leverancier
TO-247
Vermogensdissipatie (max.)
555W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
1200V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
55 mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
235nC @ 20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
-
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
20V
Vgs (max.)
+25V, -10V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 43636 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanAPT80SM120B
APT80SM120B Elektronische componenten
APT80SM120B verkoop
APT80SM120B Leverancier
APT80SM120B Distributeur
APT80SM120B Data tafel
APT80SM120B Foto's
APT80SM120B Prijs
APT80SM120B Aanbod
APT80SM120B Laagste prijs
APT80SM120B Zoekopdracht
APT80SM120B Inkoop
APT80SM120B Chip