Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
IXFT12N100F
MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
Onderdeel nummer
IXFT12N100F
Fabrikant/merk
Serie
HiPerRF™
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Apparaatpakket van leverancier
TO-268 (IXFT)
Vermogensdissipatie (max.)
300W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
1000V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
1.05 Ohm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 4mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
77nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
2700pF @ 25V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 45150 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanIXFT12N100F
IXFT12N100F Elektronische componenten
IXFT12N100F verkoop
IXFT12N100F Leverancier
IXFT12N100F Distributeur
IXFT12N100F Data tafel
IXFT12N100F Foto's
IXFT12N100F Prijs
IXFT12N100F Aanbod
IXFT12N100F Laagste prijs
IXFT12N100F Zoekopdracht
IXFT12N100F Inkoop
IXFT12N100F Chip