Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
IXTY1R4N120P
MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-252
Onderdeel nummer
IXTY1R4N120P
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Apparaatpakket van leverancier
TO-252, (D-Pak)
Vermogensdissipatie (max.)
-
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
1200V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
-
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
-
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 46333 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanIXTY1R4N120P
IXTY1R4N120P Elektronische componenten
IXTY1R4N120P verkoop
IXTY1R4N120P Leverancier
IXTY1R4N120P Distributeur
IXTY1R4N120P Data tafel
IXTY1R4N120P Foto's
IXTY1R4N120P Prijs
IXTY1R4N120P Aanbod
IXTY1R4N120P Laagste prijs
IXTY1R4N120P Zoekopdracht
IXTY1R4N120P Inkoop
IXTY1R4N120P Chip