Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
IXTY1R4N100P
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-252
Onderdeel nummer
IXTY1R4N100P
Fabrikant/merk
Serie
Polar™
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Apparaatpakket van leverancier
TO-252, (D-Pak)
Vermogensdissipatie (max.)
63W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
1000V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
11 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
17.8nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
450pF @ 25V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 44598 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanIXTY1R4N100P
IXTY1R4N100P Elektronische componenten
IXTY1R4N100P verkoop
IXTY1R4N100P Leverancier
IXTY1R4N100P Distributeur
IXTY1R4N100P Data tafel
IXTY1R4N100P Foto's
IXTY1R4N100P Prijs
IXTY1R4N100P Aanbod
IXTY1R4N100P Laagste prijs
IXTY1R4N100P Zoekopdracht
IXTY1R4N100P Inkoop
IXTY1R4N100P Chip