Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
IXTH3N200P3HV
MOSFET N-CH 2000V 3A TO-247
Onderdeel nummer
IXTH3N200P3HV
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-247-3
Apparaatpakket van leverancier
TO-247
Vermogensdissipatie (max.)
520W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
2000V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
8 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
70nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
1860pF @ 25V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 34245 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanIXTH3N200P3HV
IXTH3N200P3HV Elektronische componenten
IXTH3N200P3HV verkoop
IXTH3N200P3HV Leverancier
IXTH3N200P3HV Distributeur
IXTH3N200P3HV Data tafel
IXTH3N200P3HV Foto's
IXTH3N200P3HV Prijs
IXTH3N200P3HV Aanbod
IXTH3N200P3HV Laagste prijs
IXTH3N200P3HV Zoekopdracht
IXTH3N200P3HV Inkoop
IXTH3N200P3HV Chip