Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
IXTH3N120

IXTH3N120

MOSFET N-CH 1200V 3A TO-247
Onderdeel nummer
IXTH3N120
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-247-3
Apparaatpakket van leverancier
TO-247 (IXTH)
Vermogensdissipatie (max.)
200W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
1200V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
4.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
1300pF @ 25V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 28586 PCS
Contactgegevens
Trefwoorden vanIXTH3N120
IXTH3N120 Elektronische componenten
IXTH3N120 verkoop
IXTH3N120 Leverancier
IXTH3N120 Distributeur
IXTH3N120 Data tafel
IXTH3N120 Foto's
IXTH3N120 Prijs
IXTH3N120 Aanbod
IXTH3N120 Laagste prijs
IXTH3N120 Zoekopdracht
IXTH3N120 Inkoop
IXTH3N120 Chip