Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
IXTH1N200P3HV

IXTH1N200P3HV

MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247HV
Onderdeel nummer
IXTH1N200P3HV
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-247-3 Variant
Apparaatpakket van leverancier
TO-247HV
Vermogensdissipatie (max.)
125W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
2000V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
40 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
23.5nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
646pF @ 25V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 24999 PCS
Contactgegevens
Trefwoorden vanIXTH1N200P3HV
IXTH1N200P3HV Elektronische componenten
IXTH1N200P3HV verkoop
IXTH1N200P3HV Leverancier
IXTH1N200P3HV Distributeur
IXTH1N200P3HV Data tafel
IXTH1N200P3HV Foto's
IXTH1N200P3HV Prijs
IXTH1N200P3HV Aanbod
IXTH1N200P3HV Laagste prijs
IXTH1N200P3HV Zoekopdracht
IXTH1N200P3HV Inkoop
IXTH1N200P3HV Chip