Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
IXTH1N200P3
MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247
Onderdeel nummer
IXTH1N200P3
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-247-3
Apparaatpakket van leverancier
TO-247 (IXTH)
Vermogensdissipatie (max.)
125W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
2000V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
40 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
23.5nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
646pF @ 25V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 25200 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanIXTH1N200P3
IXTH1N200P3 Elektronische componenten
IXTH1N200P3 verkoop
IXTH1N200P3 Leverancier
IXTH1N200P3 Distributeur
IXTH1N200P3 Data tafel
IXTH1N200P3 Foto's
IXTH1N200P3 Prijs
IXTH1N200P3 Aanbod
IXTH1N200P3 Laagste prijs
IXTH1N200P3 Zoekopdracht
IXTH1N200P3 Inkoop
IXTH1N200P3 Chip