Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
IXFT6N100Q
MOSFET N-CH 1000V 6A TO-268
Onderdeel nummer
IXFT6N100Q
Fabrikant/merk
Serie
HiPerFET™
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Apparaatpakket van leverancier
TO-268
Vermogensdissipatie (max.)
180W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
1000V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
1.9 Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 2.5mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
2200pF @ 25V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 16612 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanIXFT6N100Q
IXFT6N100Q Elektronische componenten
IXFT6N100Q verkoop
IXFT6N100Q Leverancier
IXFT6N100Q Distributeur
IXFT6N100Q Data tafel
IXFT6N100Q Foto's
IXFT6N100Q Prijs
IXFT6N100Q Aanbod
IXFT6N100Q Laagste prijs
IXFT6N100Q Zoekopdracht
IXFT6N100Q Inkoop
IXFT6N100Q Chip