Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
IXFT18N100Q3
MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268
Onderdeel nummer
IXFT18N100Q3
Fabrikant/merk
Serie
HiPerFET™
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Apparaatpakket van leverancier
TO-268
Vermogensdissipatie (max.)
830W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
1000V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
660 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 4mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
90nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
4890pF @ 25V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±30V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 13528 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanIXFT18N100Q3
IXFT18N100Q3 Elektronische componenten
IXFT18N100Q3 verkoop
IXFT18N100Q3 Leverancier
IXFT18N100Q3 Distributeur
IXFT18N100Q3 Data tafel
IXFT18N100Q3 Foto's
IXFT18N100Q3 Prijs
IXFT18N100Q3 Aanbod
IXFT18N100Q3 Laagste prijs
IXFT18N100Q3 Zoekopdracht
IXFT18N100Q3 Inkoop
IXFT18N100Q3 Chip