Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
IXFT12N100Q
MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
Onderdeel nummer
IXFT12N100Q
Fabrikant/merk
Serie
HiPerFET™
Onderdeelstatus
Obsolete
Verpakking
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Apparaatpakket van leverancier
TO-268
Vermogensdissipatie (max.)
300W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
1000V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
1.05 Ohm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 4mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
90nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
2900pF @ 25V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 14629 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanIXFT12N100Q
IXFT12N100Q Elektronische componenten
IXFT12N100Q verkoop
IXFT12N100Q Leverancier
IXFT12N100Q Distributeur
IXFT12N100Q Data tafel
IXFT12N100Q Foto's
IXFT12N100Q Prijs
IXFT12N100Q Aanbod
IXFT12N100Q Laagste prijs
IXFT12N100Q Zoekopdracht
IXFT12N100Q Inkoop
IXFT12N100Q Chip