Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
IXFM67N10
POWER MOSFET TO-3
Onderdeel nummer
IXFM67N10
Fabrikant/merk
Serie
HiPerFET™
Onderdeelstatus
Last Time Buy
Verpakking
-
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-204AE
Apparaatpakket van leverancier
TO-204AE
Vermogensdissipatie (max.)
300W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
100V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
67A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 33.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
260nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
4500pF @ 25V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 52143 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanIXFM67N10
IXFM67N10 Elektronische componenten
IXFM67N10 verkoop
IXFM67N10 Leverancier
IXFM67N10 Distributeur
IXFM67N10 Data tafel
IXFM67N10 Foto's
IXFM67N10 Prijs
IXFM67N10 Aanbod
IXFM67N10 Laagste prijs
IXFM67N10 Zoekopdracht
IXFM67N10 Inkoop
IXFM67N10 Chip