Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
IXFH7N100P
MOSFET N-CH
Onderdeel nummer
IXFH7N100P
Fabrikant/merk
Serie
HiPerFET™, Polar™
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
-
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-247-3
Apparaatpakket van leverancier
TO-247
Vermogensdissipatie (max.)
300W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
1000V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
1.9 Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 1mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
47nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
2590pF @ 25V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±30V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 21931 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanIXFH7N100P
IXFH7N100P Elektronische componenten
IXFH7N100P verkoop
IXFH7N100P Leverancier
IXFH7N100P Distributeur
IXFH7N100P Data tafel
IXFH7N100P Foto's
IXFH7N100P Prijs
IXFH7N100P Aanbod
IXFH7N100P Laagste prijs
IXFH7N100P Zoekopdracht
IXFH7N100P Inkoop
IXFH7N100P Chip