Koop Infineon Technologies SPB18P06PGATMA1 MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263

Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.

Bekijk meer informatie DataSheets

SPB18P06PGATMA1

MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263

Onderdeel nummer

SPB18P06PGATMA1

Fabrikant/merk

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

Onderdeelstatus

Active

Verpakking

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Bedrijfstemperatuur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montage type

Surface Mount

Pakket / doos

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Apparaatpakket van leverancier

D²PAK (TO-263AB)

Vermogensdissipatie (max.)

81.1W (Ta)

FET-type

P-Channel

FET-functie

Afvoer naar bronspanning (Vdss)

60V

Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C

18.7A (Ta)

Rds Aan (Max) @ Id, Vgs

130 mOhm @ 13.2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V

Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds

860pF @ 25V

Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)

10V

Vgs (max.)

±20V

Offerte aanvragen

Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.

Op voorraad 5144 PCS

Contactgegevens

Gerelateerde producten