Koop Infineon Technologies SPB10N10 G MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK

Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.

DataSheets

SPB10N10 G

MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK

Onderdeel nummer

SPB10N10 G

Fabrikant/merk

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

Onderdeelstatus

Obsolete

Verpakking

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Bedrijfstemperatuur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montage type

Surface Mount

Pakket / doos

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Apparaatpakket van leverancier

PG-TO263-3-2

Vermogensdissipatie (max.)

50W (Tc)

FET-type

N-Channel

FET-functie

Afvoer naar bronspanning (Vdss)

100V

Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C

10.3A (Tc)

Rds Aan (Max) @ Id, Vgs

170 mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 21µA

Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs

19.4nC @ 10V

Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds

426pF @ 25V

Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)

10V

Vgs (max.)

±20V

Offerte aanvragen

Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.

Op voorraad 23508 PCS

Contactgegevens

Gerelateerde producten

SPB1-48F01-3080-00