SI4435DY
MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
Onderdeel nummer
SI4435DY
Fabrikant/merk
Serie
HEXFET®
Onderdeelstatus
Obsolete
Verpakking
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Apparaatpakket van leverancier
8-SO
Vermogensdissipatie (max.)
2.5W (Ta)
FET-type
P-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
30V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
2320pF @ 15V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
4.5V, 10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 49890 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanSI4435DY
SI4435DY Elektronische componenten
SI4435DY verkoop
SI4435DY Leverancier
SI4435DY Distributeur
SI4435DY Data tafel
SI4435DY Foto's
SI4435DY Prijs
SI4435DY Aanbod
SI4435DY Laagste prijs
SI4435DY Zoekopdracht
SI4435DY Inkoop
SI4435DY Chip