Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
IRFSL59N10D
MOSFET N-CH 100V 59A TO-262
Onderdeel nummer
IRFSL59N10D
Fabrikant/merk
Serie
HEXFET®
Onderdeelstatus
Obsolete
Verpakking
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Apparaatpakket van leverancier
TO-262
Vermogensdissipatie (max.)
3.8W (Ta), 200W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
100V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
59A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 35.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
114nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
2450pF @ 25V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±30V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 19526 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanIRFSL59N10D
IRFSL59N10D Elektronische componenten
IRFSL59N10D verkoop
IRFSL59N10D Leverancier
IRFSL59N10D Distributeur
IRFSL59N10D Data tafel
IRFSL59N10D Foto's
IRFSL59N10D Prijs
IRFSL59N10D Aanbod
IRFSL59N10D Laagste prijs
IRFSL59N10D Zoekopdracht
IRFSL59N10D Inkoop
IRFSL59N10D Chip