Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
IRFHM830DTR2PBF
MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
Onderdeel nummer
IRFHM830DTR2PBF
Fabrikant/merk
Serie
HEXFET®
Onderdeelstatus
Obsolete
Verpakking
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
8-VQFN Exposed Pad
Apparaatpakket van leverancier
PQFN (3x3)
Vermogensdissipatie (max.)
2.8W (Ta), 37W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
30V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
20A (Ta), 40A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
4.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 50µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
1797pF @ 25V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
4.5V, 10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 7103 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanIRFHM830DTR2PBF
IRFHM830DTR2PBF Elektronische componenten
IRFHM830DTR2PBF verkoop
IRFHM830DTR2PBF Leverancier
IRFHM830DTR2PBF Distributeur
IRFHM830DTR2PBF Data tafel
IRFHM830DTR2PBF Foto's
IRFHM830DTR2PBF Prijs
IRFHM830DTR2PBF Aanbod
IRFHM830DTR2PBF Laagste prijs
IRFHM830DTR2PBF Zoekopdracht
IRFHM830DTR2PBF Inkoop
IRFHM830DTR2PBF Chip