Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
IRFB59N10DPBF
MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB
Onderdeel nummer
IRFB59N10DPBF
Fabrikant/merk
Serie
HEXFET®
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-220-3
Apparaatpakket van leverancier
TO-220AB
Vermogensdissipatie (max.)
3.8W (Ta), 200W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
100V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
59A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 35.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
114nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
2450pF @ 25V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±30V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 14179 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanIRFB59N10DPBF
IRFB59N10DPBF Elektronische componenten
IRFB59N10DPBF verkoop
IRFB59N10DPBF Leverancier
IRFB59N10DPBF Distributeur
IRFB59N10DPBF Data tafel
IRFB59N10DPBF Foto's
IRFB59N10DPBF Prijs
IRFB59N10DPBF Aanbod
IRFB59N10DPBF Laagste prijs
IRFB59N10DPBF Zoekopdracht
IRFB59N10DPBF Inkoop
IRFB59N10DPBF Chip