Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
IRFB4110PBF
MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB
Onderdeel nummer
IRFB4110PBF
Fabrikant/merk
Serie
HEXFET®
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-220-3
Apparaatpakket van leverancier
TO-220AB
Vermogensdissipatie (max.)
370W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
100V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
4.5 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
210nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
9620pF @ 50V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 23356 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanIRFB4110PBF
IRFB4110PBF Elektronische componenten
IRFB4110PBF verkoop
IRFB4110PBF Leverancier
IRFB4110PBF Distributeur
IRFB4110PBF Data tafel
IRFB4110PBF Foto's
IRFB4110PBF Prijs
IRFB4110PBF Aanbod
IRFB4110PBF Laagste prijs
IRFB4110PBF Zoekopdracht
IRFB4110PBF Inkoop
IRFB4110PBF Chip