Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
IRFB4110GPBF
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Onderdeel nummer
IRFB4110GPBF
Fabrikant/merk
Serie
HEXFET®
Onderdeelstatus
Not For New Designs
Verpakking
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-220-3
Apparaatpakket van leverancier
TO-220AB
Vermogensdissipatie (max.)
370W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
100V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
4.5 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
210nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
9620pF @ 50V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 23921 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanIRFB4110GPBF
IRFB4110GPBF Elektronische componenten
IRFB4110GPBF verkoop
IRFB4110GPBF Leverancier
IRFB4110GPBF Distributeur
IRFB4110GPBF Data tafel
IRFB4110GPBF Foto's
IRFB4110GPBF Prijs
IRFB4110GPBF Aanbod
IRFB4110GPBF Laagste prijs
IRFB4110GPBF Zoekopdracht
IRFB4110GPBF Inkoop
IRFB4110GPBF Chip