Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
IRF8113GPBF
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SO
Onderdeel nummer
IRF8113GPBF
Fabrikant/merk
Serie
HEXFET®
Onderdeelstatus
Obsolete
Verpakking
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Apparaatpakket van leverancier
8-SO
Vermogensdissipatie (max.)
2.5W (Ta)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
30V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
17.2A (Ta)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
5.6 mOhm @ 17.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 4.5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
2910pF @ 15V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
4.5V, 10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 50635 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanIRF8113GPBF
IRF8113GPBF Elektronische componenten
IRF8113GPBF verkoop
IRF8113GPBF Leverancier
IRF8113GPBF Distributeur
IRF8113GPBF Data tafel
IRF8113GPBF Foto's
IRF8113GPBF Prijs
IRF8113GPBF Aanbod
IRF8113GPBF Laagste prijs
IRF8113GPBF Zoekopdracht
IRF8113GPBF Inkoop
IRF8113GPBF Chip