Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
IRF7473PBF

IRF7473PBF

MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-SOIC
Onderdeel nummer
IRF7473PBF
Fabrikant/merk
Serie
HEXFET®
Onderdeelstatus
Not For New Designs
Verpakking
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Apparaatpakket van leverancier
8-SO
Vermogensdissipatie (max.)
2.5W (Ta)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
100V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
6.9A (Ta)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
26 mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
61nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
3180pF @ 25V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 21921 PCS
Contactgegevens
Trefwoorden vanIRF7473PBF
IRF7473PBF Elektronische componenten
IRF7473PBF verkoop
IRF7473PBF Leverancier
IRF7473PBF Distributeur
IRF7473PBF Data tafel
IRF7473PBF Foto's
IRF7473PBF Prijs
IRF7473PBF Aanbod
IRF7473PBF Laagste prijs
IRF7473PBF Zoekopdracht
IRF7473PBF Inkoop
IRF7473PBF Chip