Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
IPS118N10N G

IPS118N10N G

MOSFET N-CH 100V 75A TO251-3
Onderdeel nummer
IPS118N10N G
Fabrikant/merk
Serie
OptiMOS™
Onderdeelstatus
Obsolete
Verpakking
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Apparaatpakket van leverancier
PG-TO251-3
Vermogensdissipatie (max.)
125W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
100V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
11.8 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 83µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
4320pF @ 50V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 13172 PCS
Contactgegevens
Trefwoorden vanIPS118N10N G
IPS118N10N G Elektronische componenten
IPS118N10N G verkoop
IPS118N10N G Leverancier
IPS118N10N G Distributeur
IPS118N10N G Data tafel
IPS118N10N G Foto's
IPS118N10N G Prijs
IPS118N10N G Aanbod
IPS118N10N G Laagste prijs
IPS118N10N G Zoekopdracht
IPS118N10N G Inkoop
IPS118N10N G Chip