Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
IPD65R950CFDBTMA1
MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252
Onderdeel nummer
IPD65R950CFDBTMA1
Fabrikant/merk
Serie
CoolMOS™
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Apparaatpakket van leverancier
PG-TO252-3
Vermogensdissipatie (max.)
36.7W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
650V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
3.9A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
950 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 200µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
14.1nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
380pF @ 100V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 36362 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanIPD65R950CFDBTMA1
IPD65R950CFDBTMA1 Elektronische componenten
IPD65R950CFDBTMA1 verkoop
IPD65R950CFDBTMA1 Leverancier
IPD65R950CFDBTMA1 Distributeur
IPD65R950CFDBTMA1 Data tafel
IPD65R950CFDBTMA1 Foto's
IPD65R950CFDBTMA1 Prijs
IPD65R950CFDBTMA1 Aanbod
IPD65R950CFDBTMA1 Laagste prijs
IPD65R950CFDBTMA1 Zoekopdracht
IPD65R950CFDBTMA1 Inkoop
IPD65R950CFDBTMA1 Chip