IPD65R650CEATMA1
MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252
Onderdeel nummer
IPD65R650CEATMA1
Fabrikant/merk
Serie
CoolMOS™
Onderdeelstatus
Last Time Buy
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Apparaatpakket van leverancier
PG-TO252-3
Vermogensdissipatie (max.)
86W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
Super Junction
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
650V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
10.1A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
650 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 0.21mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
440pF @ 100V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 45935 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanIPD65R650CEATMA1
IPD65R650CEATMA1 Elektronische componenten
IPD65R650CEATMA1 verkoop
IPD65R650CEATMA1 Leverancier
IPD65R650CEATMA1 Distributeur
IPD65R650CEATMA1 Data tafel
IPD65R650CEATMA1 Foto's
IPD65R650CEATMA1 Prijs
IPD65R650CEATMA1 Aanbod
IPD65R650CEATMA1 Laagste prijs
IPD65R650CEATMA1 Zoekopdracht
IPD65R650CEATMA1 Inkoop
IPD65R650CEATMA1 Chip