IPD60R650CEATMA1
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
Onderdeel nummer
IPD60R650CEATMA1
Fabrikant/merk
Serie
CoolMOS™ CE
Onderdeelstatus
Obsolete
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Apparaatpakket van leverancier
TO-252-3
Vermogensdissipatie (max.)
63W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
600V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
650 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 200µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
20.5nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
440pF @ 100V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 20707 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanIPD60R650CEATMA1
IPD60R650CEATMA1 Elektronische componenten
IPD60R650CEATMA1 verkoop
IPD60R650CEATMA1 Leverancier
IPD60R650CEATMA1 Distributeur
IPD60R650CEATMA1 Data tafel
IPD60R650CEATMA1 Foto's
IPD60R650CEATMA1 Prijs
IPD60R650CEATMA1 Aanbod
IPD60R650CEATMA1 Laagste prijs
IPD60R650CEATMA1 Zoekopdracht
IPD60R650CEATMA1 Inkoop
IPD60R650CEATMA1 Chip