IPD60R3K4CEAUMA1
MOSFET N-CH 650V 2.6A TO252-3
Onderdeel nummer
IPD60R3K4CEAUMA1
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
-
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Apparaatpakket van leverancier
PG-TO252-3
Vermogensdissipatie (max.)
29W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
650V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
2.6A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
3.4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 40µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
4.6nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
93pF @ 100V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 39474 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanIPD60R3K4CEAUMA1
IPD60R3K4CEAUMA1 Elektronische componenten
IPD60R3K4CEAUMA1 verkoop
IPD60R3K4CEAUMA1 Leverancier
IPD60R3K4CEAUMA1 Distributeur
IPD60R3K4CEAUMA1 Data tafel
IPD60R3K4CEAUMA1 Foto's
IPD60R3K4CEAUMA1 Prijs
IPD60R3K4CEAUMA1 Aanbod
IPD60R3K4CEAUMA1 Laagste prijs
IPD60R3K4CEAUMA1 Zoekopdracht
IPD60R3K4CEAUMA1 Inkoop
IPD60R3K4CEAUMA1 Chip